S2MA R3Gの技術仕様
TSC (Taiwan Semiconductor) - S2MA R3G技術仕様、属性、パラメーター、およびTSC (Taiwan Semiconductor) - S2MA R3G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Taiwan Semiconductor | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.1V @ 1.5A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1000V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-214AC (SMA) | |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 1.5µs | |
| パッケージング | Original-Reel® | |
| パッケージ/ケース | DO-214AC, SMA | |
| 他の名前 | S2MA R3GDKR S2MA R3GDKR-ND S2MAR3GDKR |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | |
| メーカーの標準リードタイム | 17 Weeks | |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | |
| ダイオードタイプ | Standard | |
| 詳細な説明 | Diode Standard 1000V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5µA @ 1000V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1.5A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 30pF @ 4V, 1MHz |
右側の三つのパーツはTSC (Taiwan Semiconductor) S2MA R3Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | S2MA R3G | S2M-13-F | S2MA-13 | S2MHE3_A/H |
| メーカー | TSC (Taiwan Semiconductor) | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.1V @ 1.5A | 1.15 V @ 1.5 A | 1.15 V @ 1.5 A | 1.15 V @ 1.5 A |
| 他の名前 | S2MA R3GDKR S2MA R3GDKR-ND S2MAR3GDKR |
- | - | - |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1.5A | 1.5A | 1.5A | 1.5A |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | DO-214AC, SMA | DO-214AA, SMB | DO-214AC, SMA | DO-214AA, SMB |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| パッケージング | Original-Reel® | - | - | - |
| ダイオードタイプ | Standard | - | - | - |
| 逆回復時間（trrの） | 1.5µs | - | - | 2 µs |
| シリーズ | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1000V | 1000 V | 1000 V | 1000 V |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| メーカーの標準リードタイム | 17 Weeks | - | - | - |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5µA @ 1000V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | 1 µA @ 1000 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-214AC (SMA) | SMB | SMA | DO-214AA (SMB) |
| 詳細な説明 | Diode Standard 1000V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) | - | - | - |
| Vrと、F @キャパシタンス | 30pF @ 4V, 1MHz | 20pF @ 4V, 1MHz | 20pF @ 4V, 1MHz | 16pF @ 4V, 1MHz |
S2MA R3G - TSC (Taiwan Semiconductor)のS2MA R3G PDFデータテーブルとTSC (Taiwan Semiconductor)ドキュメントをダウンロード
S2MA HFLITEON
S2M1E120Z296030UTCS2M-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMBS2MA_HFLITEONS2MA-HFLITEONS2M T/RPANJITS2MA-FLITEONS2MA-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMAS2M-R2-00001PANJITS2MHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA
S2MK-13-FDiodes IncorporatedS2M-R1-00001PANJITS2M-E3/5BTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA
S2MHE3/61TElectro-Films (EFI) / VishayS2MA-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMAS2MHE3/52TElectro-Films (EFI) / Vishay
S2M-E3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA
S2MA R3Taiwan Semiconductor| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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